En este trabajo se ha depositado películas nanoestructuradas de AlN mediante el método de Deposición por Láser Pulsado (DLP) con un láser Nd:YAG (λ=1064 nm), en diferentes gases de trabajo (Nitrógeno), usando como blanco Aluminio de alta pureza y como sustrato portamuestras de vidrio y Si3N4 (100). La presión del gas ambiente se varió entre 0.39Pa y 1.46 Pa. Mientras la fluencia del láser se mantuvo constante a 7 J/cm2, la temperatura de los sustratos no se varió, en este caso se fijo en 25ºC. El espesor de las películas en promedio fue de 75 nm, medido con un perfilometro, el tiempo de deposición fue de 15 minutos. La nanoestructuras y la morfología de las películas se estudiaron usando difracción de rayos X (DRX) y microscopia electrónica de barrido (SEM) al igual Espectroscopia de infrarrojos por transformada de Fourier

FT-IR para todas las películas.